檢索結果:共5筆資料 檢索策略: "洪儒生".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="碳化矽"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本論文中針對三氯矽甲烷(MTS)為原料在氫氣氣氛下化學氣相沉積β相碳化矽薄膜的反應機制進行量化模型之探討。首先以一簡化的模型,即僅考慮MTS氣相解離生成一中間產物並貢獻長膜的逐次反應型式,對熱壁式水…
2
3
本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上,以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體,達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
4
本研究使用裝載266nm脈衝雷射之時間解析光致發光光譜(time-resolved photoluminescence, TRPL)分析了在低注入條件下磊晶層厚度小於15μm的4H-SiC磊晶片中少…
5